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SPD用MOV击穿点中移相关问题
栏目:网上怎么跟朋友斗地主 发布时间:2011-03-02 浏览量: 55
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1. 击穿点在中部铜电极区对SPD的安全性有什么好处?
       SPD起火燃烧几乎全是由于热脱离机构未及时动作脱离,使芯片被工频过电压击穿喷火而引起。击穿点在中部至少有以下两点好处:
       1.1. 发热量最高的击穿点被铜片覆盖,发热易被铜片吸收传导至脱扣点,芯片不易击穿,提高了芯片对工频过电压的耐受能力并且更利于热脱离机构快速动作。
       1.2. 芯片熔穿后的喷火被铜片捂盖,有效防止防雷器起火燃烧;铜电极直接吸收喷火热量并快速传导至脱扣点,使热脱离机构快速脱离,保护SPD自身的安全。
       所以,MOV工频击穿点中移将使得SPD的安全性大大提高。


2. 为什么普通压敏芯片无法做到击穿点在中部?
       压敏电阻通常烧成温度在1150~1200℃之间,压敏电阻中的氧化铋、氧化锑等低熔点物质在800~950℃即已经是液态,高温烧成下会形成气态进一步挥发,这种挥发主要发生在四周侧面,其后果是构成一个从侧面边缘到中部的低熔点物质浓度差分布,严重者在边缘地区形成一个低熔点物质的贫化带,做8/20μS模拟雷电冲击都有可能将之击穿。所以压敏芯片的传统制造工艺决定了其击穿点只会在边缘,而且越靠近边缘越薄弱易击穿。这就决定指望用加大铜电极面积来遮盖击穿点的方法不仅是徒劳的(因为击穿点总会出现在导电体的边缘),而且还有隐患(更容易击穿)。


3. 贵州飞舸通过什么技术手段来实现击穿点中移?
       既然已经找到传统压敏芯片击穿点在边缘的主要原因,采用的技术手段就只能反其道而行之。我们通过烧成之前在芯片侧面四周涂覆富含易挥发低熔点物质的浆料,使烧成时低熔点物质往芯片内部反渗,补充了芯片边缘地带的低熔点物质,强化了边缘地带的薄弱点,从而实现了击穿点中移。该技术增加了涂覆工序和材料消耗,增大了成本,但是切实有效地提高了芯片性能,使得贵州飞舸压敏芯片的综合技术性能指标远远超过国内同行,达到了国际先进水平。
现在可以当之无愧地说:贵州飞舸的压敏防雷芯片综合技术性能国内第一,在包含外资企业在内的全球同行中也位列前三。


贵州飞舸电子有限公司
2010-1-2